发布日期 : 2020年7月7日
特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616）开发了MOSFET新产品--XP231P02017R（-30V耐压）
XP231P02017R（-30V耐压）是具有低导通电阻和高速开关特性的通用P沟道MOSFET产品。可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。
封装组件采用了小型SOT-723（1.2 x 1.2 x h0.5mm），推动机器小型化。
▲封装 SOT-723
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