XP162A12A6PR系列
-20V -2.5A P沟道 功率MOS FET
The XP162A12A6PR is an P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics.
Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy.
In order to counter static, a gate protect diode is built-in.
封装
| 封装名称 | SOT-89 | 引脚数 | 3 |
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| 个/Reel | 1,000 | 外形尺寸（mm） | 4.5 x 4.0 x 1.6 |
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DATA SHEET
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