特瑞仕美国公司研究开发中心 搬迁通知

2017年3月6日

特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理:芝宫 孝司 第二东京证券交易所:6616)于2017年3月6日将特瑞仕美国公司研究开发中心实施搬迁。


本次特瑞仕美国公司研究开发中心的搬迁和扩大设施,是为了伴随开发项目的增加,扩充研究和开发中不可缺少的评估 设备、分析装置、并力图强化开发环境。
将本研究开发中心搬迁到去年4月在硅谷地区开设的研究开发中心、并扩大设施。总建筑面积为现在的研究开发中心的3倍。此外,伴随研究开发项目的增加、还将相应地积极增加和充实开发人员。特瑞仕将以此为契机,向开发高附加价值模拟电源IC产品迈出更大的一步。

特瑞仕美国公司研究开发中心 新基地宏观图




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