低导通电阻,高速开关 扩大了通用P沟道MOSFET产品阵容 XP231P02015R系列(-30V耐压)
2020年5月25日
特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理:芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616)开发了MOSFET新产品-- XP231P02015R(-30V耐压)。
XP231P02015R(-30V耐压)是具有低导通电阻和高速开关特性的通用P沟道MOSFET产品。可用于各种机器应用,如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。
封装组件均采用了小型SOT-523(1.6 x 1.6 x h0.9 mm),推动机器小型化。
▲SOT-523 封装
XP231P02015R

P-channel MOSFET -30V, -0.2A
P-channel MOSFET -30V, -0.2A
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