低导通电阻，高速开关扩大了通用P沟道MOSFET产品阵容 XP231P02015R系列（-30V耐压）

2020年5月25日

特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区董事总经理：芝宫　孝司　第一东京证券交易所:6616）开发了MOSFET新产品-- XP231P02015R（-30V耐压）。

XP231P02015R（-30V耐压）是具有低导通电阻和高速开关特性的通用P沟道MOSFET产品。可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。

封装组件均采用了小型SOT-523(1.6 x 1.6 x h0.9 mm),推动机器小型化。

▲SOT-523 封装

P-channel MOSFET -30V, -0.2A

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