低导通电阻,高速开关 扩大了通用P沟道MOSFET产品阵容 XP231P02013R(-30V)、XP232P05013R(-30V)

2020年3月19日

特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理:芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616)开发了作为MOSFET的新系列产品XP231P02013R和XP232P05013R。

XP231P02013R(-30V耐压)和XP232P05013R(-30V耐压)是具有低导通电阻和高速开关特性的通用P沟道MOSFET产品。该产品可用于各种机器应用,如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。

封装组件均采用了小型SOT-323-3A(2.1 x 1.25 x h0.95mm),推动机器小型化。



▲SOT-323-3A 封装



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